AS2000 加速度计采用标准 LCC20 陶瓷封装，图 1 为其引脚排布图，引脚定义描述见表 1。

这只是额定最大值，不表示在这些条件下或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

AS2000加速度计采用密封的陶瓷管壳封装，可保护传感器不受外界环境影响。但是，不恰当的操作会对封装气密性有影响，因为陶瓷封装的材料是氧化铝，比较脆。不恰当的操作还会对 MEMS 加速度计造成不可见的内部损害，甚至导致电气故障或者可靠性问题。所以要小心处理此器件，避免此器件掉在坚硬的物体表面上，以防损坏。

此器件是ESD 敏感器件。所以在此产品的制造、测试、封装、包装及操作过程中必须采用适当的防静电措施。推荐以下使用指南：

在ESD 可控的环境下使用本产品；

将此产品存放在有 ESD 保护的环境中，比如放在 ESD 安全的托盘里或者防静电袋中；

操作本产品时需要佩戴防静电手腕带和防静电手套。

AS2000 既可以支持模拟差分输出，也可以支持 SPI 数字输出（默认），应用电路如图 2 所示。若使用模拟差分输出，只需将第 14 脚拉高到 VDDIO 电平即可。

AS2000 输出数据位宽 24bits（1bit 符号位，23bit 数据位）。

AS2000 采用标准 4 线 SPI 接进行通信，从模式运行。CSN 设置为低，初始化通信，MOSI 和 MISO 数据变化必须同步 于 SCK 下降沿，主从采样必须同步于 SCK 的上升沿。支持最大时钟速率 20MHz。

AS2000 内部寄存器读写格式如图 3、4 所示。第一 Byte 的最高位为读写标志位，‘1’表示接下来为读操作，‘0’表示 接下来为写操作，第一 Byte 的低 7 位为地址位，对应表 2 寄存器表。

AS2000 数据的采集如图 5 和图 6 所示，上位机在采集数据时需要先发送 0XD1 命令，再采集数据。

图 5 为上位机随机采集数据时序，当内部数据更新时，DRDY 置为‘1’，当数据被 SPI 采集后，DRDY 置为‘0’直至 新的数据被更新， DRDY 再次被置为‘ 1 ’。 DRDY 在数据中的具体位置， 受寄存器 READ_DATAONLY 控制，当 READ_DATAONLY=1 位。时，DRDY 在数据的第 25 位，默认 READ_DATAONLY=0 时，DRDY 在数据的第 1 位时间。

随机采集模式时，为避免数据丢失，建议 SPI 的采集速率略高于 AS2000 配置的数据输出速率，可通过 DRDY 有效的 去掉冗余数据 。

图 6 为外同步采集数据时序，在外同步信号的下降沿锁定数据，DRDY 置为‘1’，当数据被 SPI 采集后，DRDY 置为 ‘0’直至新的同步到来，数据才会被更新，DRDY 再次被置为‘1’。

外同步采集模式时，可通过加载速率匹配的同步信号与 SPI 采集信号，以避免数据的丢失或冗余。

AS2000 内部集成了 8*256 OTP，这些寄存器由厂家设定，地址从 0x00 开始，到 0x3F。

#include "bsp_spi_flash.h"
#include "bsp_uart_fifo.h"
#include "stm32f10x.h"
static __IO uint32_t SPITimeout = SPIT_LONG_TIMEOUT;
static uint16_t SPI_TIMEOUT_UserCallback(uint8_t errorCode);
uint8_t aACC_X[3] = {0, 0, 0};
uint8_t aTemp[2] = {0, 0};
double dfpAcc;
double dfpTemp;
double dfpVoltage;
/**
* @brief SPI_FLASH 初始化
* @param 无
* @retval 无
*/
void SPI_FLASH_Init(void)
{
SPI_InitTypeDef SPI_InitStructure;
//定义SPI 初始化结构体
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; //定义 GPIO 初始化结构体变量
/* 使能SPI 时钟 */
FLASH_SPI_APBxClock_FUN (FLASH_SPI_CLK, ENABLE);
/* 使能SPI 引脚相关的时钟 */
FLASH_SPI_Cdata_APBxClock_FUN(FLASH_SPI_CS0_CLK | FLASH_SPI_SCK_CLK |
FLASH_SPI_MISO_CLK | FLASH_SPI_MOSI_CLK, ENABLE );
/* 配置SPI 的 CS0引脚，普通IO即可 */
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = FLASH_SPI_CS0_PIN;
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP;
GPIO_Init(FLASH_SPI_CS0_PORT, &GPIO_InitStructure);
/* 配置SPI 的 SCK引脚*/
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = FLASH_SPI_SCK_PIN;
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
GPIO_Init(FLASH_SPI_SCK_PORT, &GPIO_InitStructure);
/* 配置SPI 的 MISO引脚*/
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = FLASH_SPI_MISO_PIN;
GPIO_Init(FLASH_SPI_MISO_PORT, &GPIO_InitStructure);
/* 配置SPI 的 MOSI引脚*/
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = FLASH_SPI_MOSI_PIN;
GPIO_Init(FLASH_SPI_MOSI_PORT, &GPIO_InitStructure);
/* 停止信号 FLASH: CS引脚高电平*/
SPI_FLASH_CS0_HIGH();
/* SPI 模式配置 */
// FLASH 芯片 支持SPI模式0及模式3，据此设置CPOL CPHA
SPI_InitStructure.SPI_Direction = SPI_Direction_2Lines_FullDuplex;//SPI 全双工模式
SPI_InitStructure.SPI_Mode = SPI_Mode_Master;//设置 SPI 为主模式
SPI_InitStructure.SPI_DataSize = SPI_DataSize_8b;//8 位数据传输
SPI_InitStructure.SPI_CPOL = SPI_CPOL_Low; //SCLK 空闲时为高电平
SPI_InitStructure.SPI_CPHA = SPI_CPHA_1Edge; //第 1 个跳变沿采样,第 2 个跳变沿输出
SPI_InitStructure.SPI_NSS = SPI_NSS_Soft;//将片选信号 CS 设置为软件置 0 模式
SPI_InitStructure.SPI_BaudRatePrescaler = SPI_BaudRatePrescaler_128; //SPI波特率为4分频即SPI的通信速率为9M
SPI_InitStructure.SPI_FirstBit = SPI_FirstBit_MSB;//高位在前
SPI_InitStructure.SPI_CRCPolynomial = 7;/*设置 CRC 校验方式*/
SPI_Init(FLASH_SPIx , &SPI_InitStructure);//SPI 结构体初始化
/* 使能 SPI */
SPI_Cmd(FLASH_SPIx , ENABLE);
}
//MEMS 器件的参数配置
//延时函数
void delayns(u16 time)
{
u16 i = 0;
for (i = 0; i < time; i++)
{
__nop();
}
}

/**
* @brief 使用 SPI 发送一个字节的数据
* @param byte：要发送的数据
* @retval 返回接收到的数据
*/
u8 SPI_MEMS_SendByte(u8 byte)
{
SPITimeout = SPIT_FLAG_TIMEOUT;
/* 等待发送缓冲区为空，TXE事件 */
while (SPI_I2S_GetFlagStatus(FLASH_SPIx , SPI_I2S_FLAG_TXE) == RESET)
{
if ((SPITimeout--) == 0)
return SPI_TIMEOUT_UserCallback(0);
}
/* 写入数据寄存器，把要写入的数据写入发送缓冲区 */
SPI_I2S_SendData(FLASH_SPIx , byte);
SPITimeout = SPIT_FLAG_TIMEOUT;
/* 等待接收缓冲区非空，RXNE事件 */

while (SPI_I2S_GetFlagStatus(FLASH_SPIx , SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET)
{
if ((SPITimeout--) == 0) return SPI_TIMEOUT_UserCallback(1);
}
/* 读取数据寄存器，获取接收缓冲区数据 */
return SPI_I2S_ReceiveData(FLASH_SPIx );
}
void AS2000_Init(void)
{
SPI_FLASH_CS0_LOW();//通讯开始：CS 低
SPI_MEMS_SendByte(0x5e);
SPI_MEMS_SendByte(0x1C);
SPI_MEMS_SendByte(0x80);
SPI_FLASH_CS0_HIGH();//通信结束：CS 高
}
/*
* @brief 向 MEMS发送35byte 命令

* @param none
* @retval none*/
/**
* @brief 发送读取
* @param None.
* @retval None.
*/
void SPI_MEMS_readdat(void)
{
uint32_t Vout0 = 0, Temp0 = 0;
uint32_t Temp0_0 = 0, Temp1_0 = 0, Temp2_0 = 0, Temp3_0 = 0, Temp4_0 = 0;
//采集通道0的数据
/*定义温度Temp,输出电压Vout*/
SPI_FLASH_CS0_LOW();//通讯开始：CS 低
SPI_MEMS_SendByte( Mems_Addr);//发送 1byte 的地址
Temp0_0 = SPI_MEMS_SendByte(Dummy_Byte); //读取第 5BYTE 的数据
Temp1_0 = SPI_MEMS_SendByte(Dummy_Byte); //读取第 4BYTE 的数据
Temp2_0 = SPI_MEMS_SendByte(Dummy_Byte); //读取第 3BYTE 的数据
Temp3_0 = SPI_MEMS_SendByte(Dummy_Byte); //读取第 2BYTE 的数据
Temp4_0 = SPI_MEMS_SendByte(Dummy_Byte); //读取第 1BYTE 的数据
SPI_FLASH_CS0_HIGH();//通信结束：CS 高
/*判断第39bit 是否为1，若为1则读取电压输出（Vout）*/
if ((Temp0_0 & 0x80) == 0x80) //判断数据的 39 位是否为 1
{
Vout0 = (((Temp0_0 & 0x7F) << 17) | (Temp1_0 << 9) | (Temp2_0 << 1) |
((Temp3_0 & 0x80) >> 7)); //输出电压
Temp0 = (((Temp3_0 & 0x3F) << 8) | Temp4_0); //输出温度
}
aACC_X[0] = Vout0;

aACC_X[1] = Vout0 >> 8;
aACC_X[2] = Vout0 >> 16;
aTemp[0] = Temp0;
aTemp[1] = Temp0 >> 8;
if(Vout0 >= 0x800000)
{
dfpVoltage = ((double)Vout0 - 0x800000 - 8388608.0) / 1864135.0; //电压
}
else
{
dfpVoltage = (double)Vout0 / 1864135.0; //电压
}
dfpAcc = dfpVoltage / 0.36; // 电压转换为g(360mv/g)
if (Temp0 >= 0x2000)
{
dfpTemp = ((double)Temp0 - 0x2000 - 8192.0) / 72.0 + 25.0; //温度
}
else
{
dfpTemp = (double)Temp0 / 72.0 + 25.0; //温度

}

}

AS2000为一款高精度 MEMS 加速度计，为了保证良好的工作性能和可靠性，焊接时一定要注意：将器件放置平 稳，不要震动，确保每个引脚都要均匀的焊接，保证器件平行于应用电路板，且整个器件受力要均匀。

AS2000推荐使用锡/铅（Sn/Pb）焊接，也可以使用熔点低的无铅（Pb-Free）焊料（熔点不超过 220℃）焊接。

推荐的回流曲线设置如下：

预热区——温度：常温—145℃，升温速度：1-2℃/秒；

活性区——温度：145℃—165℃，保温时间：100 秒；

回流区——峰值温度：220℃，回流时间：45 秒；

冷却区——温度：220℃—常温，冷却速度：开炉膛自然降温。

实际使用时，根据所选的焊接材料适当调整以上参数（峰值温度不超过 220℃）

封装尺寸如下表所示: